Avalanche Einzeldioden

Angezeigt werden

von 996

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	Geschwindigkeit	Umkehrerholungszeit (trr)	Strom - Sperrleckstrom bei Vr	Kapazität bei Vr, F	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten	Betriebstemperatur - Übergang
BYM10-400-E3/96 DIODE AVALANCHE 400V 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	15.173 Vorrätig	1 : 0,25000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,07589 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SUPERECTIFIER®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	400 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 400 V	8pF bei 4V, 1MHz	-	-	Oberflächenmontage	DO-213AB, MELF (Glas)	DO-213AB	-65°C bis 175°C
BYG23M-E3/TR DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	219.902 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 1.800 : 0,08462 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.7 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1000 V	-	-	-	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C
BYG20J-E3/TR DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	92.466 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 1.800 : 0,07589 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	600 V	1,5A	1.4 V @ 1.5 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	1 µA @ 600 V	-	-	-	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C
BYM10-1000-E3/96 DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	32.432 Vorrätig	1 : 0,30000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,07415 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SUPERECTIFIER®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1A	1.2 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 1000 V	8pF bei 4V, 1MHz	-	-	Oberflächenmontage	DO-213AB, MELF (Glas)	DO-213AB	-65°C bis 175°C
BYG23T-M3/TR DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	16.652 Vorrätig	1 : 0,32000 € Gurtabschnitt (CT) 1.800 : 0,10556 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1300 V	1A	1.9 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1300 V	9pF bei 4V, 1MHz	-	-	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C
BYG23M-E3/TR3 DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	156.996 Vorrätig	1 : 0,34000 € Gurtabschnitt (CT) 7.500 : 0,08636 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.7 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1000 V	-	-	-	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C
BY448TR DIODE AVALANCHE 1500V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	30.514 Vorrätig	1 : 0,37000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,20742 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	1500 V	2A	1.6 V @ 3 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	20 µs	3 µA @ 1500 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	140°C (max.)
BYG21M-E3/TR DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	23.048 Vorrätig	1 : 0,38000 € Gurtabschnitt (CT) 1.800 : 0,07502 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.6 V @ 1.5 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	120 ns	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C
AU1PM-M3/84A DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	56.571 Vorrätig	1 : 0,40000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13253 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	eSMP®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1A	1.85 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	1 µA @ 1000 V	7,5pF bei 4V, 1MHz	-	-	Oberflächenmontage	DO-220AA	DO-220AA (SMP)	-55°C bis 175°C
BYM10-200-E3/97 DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	20.114 Vorrätig	1 : 0,50000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,10637 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SUPERECTIFIER®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	200 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 200 V	8pF bei 4V, 1MHz	-	-	Oberflächenmontage	DO-213AB, MELF (Glas)	DO-213AB	-65°C bis 175°C
BYV27-200-TR DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	31.166 Vorrätig	1 : 0,55000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,23845 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	200 V	2A	1.07 V @ 3 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	25 ns	1 µA @ 200 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 175°C
BY203-20STR DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	42.662 Vorrätig	1 : 0,60000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,25679 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	2000 V	250mA	2.4 V @ 200 mA	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	2 µA @ 1200 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 150°C
BY203-20STAP DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	27.529 Vorrätig	5.000 : 0,25679 € Band & Box (TB) 1 : 0,64000 € Gurtabschnitt (CT)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Avalanche	2000 V	250mA	2.4 V @ 200 mA	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	2 µA @ 1200 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 150°C
BYV28-200-TAP DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	2.937 Vorrätig	2.500 : 0,46234 € Band & Box (TB) 1 : 0,77000 € Gurtabschnitt (CT)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Avalanche	200 V	3,5A	1.1 V @ 5 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	30 ns	1 µA @ 200 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-64, Axial	SOD-64	-55°C bis 175°C
ISL9R1560P2-F085 DIODE AVALANCHE 600V 15A TO2202 onsemi	2.479 Vorrätig	1 : 2,37000 € Stange	Stealth™	Stange	Aktiv	Avalanche	600 V	15A	2.2 V @ 15 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	30 ns	100 µA @ 600 V	-	Automobiltechnik	AEC-Q101	Durchkontaktierung	TO-220-2	TO-220-2	-55°C bis 175°C
BYG10M-E3/TR DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	42.224 Vorrätig	1 : 0,23000 € Gurtabschnitt (CT) 1.800 : 0,06986 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1,5A	1.15 V @ 1.5 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C
1N5059TR DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	41.482 Vorrätig	1 : 0,23000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,14388 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	200 V	2A	1.15 V @ 2.5 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 200 V	40pF bei 0V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 175°C
BYV26D-TR DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	17.030 Vorrätig	1 : 0,23000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,21367 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	800 V	1A	2.5 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 800 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 175°C
AU1FM-M3/H DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO219AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	27.227 Vorrätig	1 : 0,25000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,05845 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1A	1.85 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	1 µA @ 1000 V	8,2pF bei 4V, 1MHz	-	-	Oberflächenmontage	DO-219AB	DO-219AB (SMF)	-55°C bis 175°C
BYG10Y-E3/TR DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division	26.331 Vorrätig	1 : 0,27000 € Gurtabschnitt (CT) 1.800 : 0,10992 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1600 V	1,5A	1.15 V @ 1.5 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 1600 V	-	-	-	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C
BYV38-TR DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	12.366 Vorrätig	1 : 0,28000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,20742 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	1000 V	2A	1.1 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	5 µA @ 1000 V	15pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 175°C
BYM10-100-E3/96 DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	6.942 Vorrätig	1 : 0,28000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,07677 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SUPERECTIFIER®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	100 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 100 V	8pF bei 4V, 1MHz	-	-	Oberflächenmontage	DO-213AB, MELF (Glas)	DO-213AB	-65°C bis 175°C
BY269TR DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	35.825 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,20729 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	1600 V	800mA	1.25 V @ 400 mA	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	400 ns	2 µA @ 1600 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 175°C
BYW56-TAP DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	24.512 Vorrätig	5.000 : 0,19923 € Band & Box (TB) 1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Avalanche	1000 V	2A	1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 1000 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 175°C
ACURA107-HF DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO214AC Comchip Technology	7.340 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,08985 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Avalanche	1000 V	1A	1.7 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	5 µA @ 1000 V	15pF bei 4V, 1MHz	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C bis 150°C

Angezeigt werden

von 996

Typen von Gleichrichterdioden

Standard-Gleichrichterdioden

Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

Avalanche-Dioden
Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.

Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.

Typen von Gleichrichterdioden

INFORMATION

HILFE

KONTAKT

FOLGEN SIE UNS