SiC (Silicon Carbide) Schottky Einzeldioden

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Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
Kapazität bei Vr, F
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
Betriebstemperatur - Übergang
DO-214AA, SMB
GB01SLT06-214
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
30.779
Vorrätig
1 : 1,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,86588 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
1A
2 V @ 1 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
10 µA @ 6.5 V
76pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
DO-214AA, SMB
DO-214AA
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM02G120C5XTMA1
DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Infineon Technologies
31.092
Vorrätig
1 : 2,07000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,60852 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.65 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
18 µA @ 1200 V
182pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E-TR
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
20.792
Vorrätig
1 : 2,55000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,77219 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
7.325
Vorrätig
1 : 2,55000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
DPAK
STPSC2H12B2Y-TR
DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
STMicroelectronics
14.074
Vorrätig
1 : 2,73000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,87419 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.5 V @ 2 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
12 µA @ 1200 V
190pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
DO-214AA, SMB
GB02SLT12-214
DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
22.607
Vorrätig
1 : 2,74000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 1,84321 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.8 V @ 1 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
131pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
DO-214AA, SMB
DO-214AA
-55°C bis 175°C
DPAK
STPSC10H065B-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
6.013
Vorrätig
1 : 2,79000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,90750 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
1.75 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
GE12MPS06E
GD10MPS12E
DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
GeneSiC Semiconductor
107
Vorrätig
1 : 3,07000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,98038 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
29A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
C3D02060F
C3D06060F
DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Wolfspeed, Inc.
3.652
Vorrätig
1 : 3,19000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
11,5A
1.8 V @ 6 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2 voller Pack
TO-220-F2
-55°C bis 175°C
UJ3D06508TS
UJ3D1202TS
DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
onsemi
6.512
Vorrätig
1 : 3,39000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.6 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
22 µA @ 1200 V
109pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220-2
-55°C bis 175°C
DPAK
STPSC10H065BY-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
1.675
Vorrätig
1 : 3,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,26816 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
-
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF bei 0V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
TO-247-2
GP3D005A170B
DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
SemiQ
2.126
Vorrätig
1 : 3,72000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
21 A
1.65 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
347pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-2
TO-247-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM10G120C5XTMA1
DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Infineon Technologies
5.737
Vorrätig
1 : 4,00000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,44875 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
38A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
62 µA @ 12 V
29pF bei 800V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-2
-55°C bis 150°C
TO-247-2
GD05MPS17H
DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
GeneSiC Semiconductor
942
Vorrätig
1 : 4,54000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
15A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
361pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-2
TO-247-2
-55°C bis 175°C
C3D06060G
C3D10060G
DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2
Wolfspeed, Inc.
564
Vorrätig
1 : 4,65000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
29A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
TO-263-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D05120E
DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522
Wolfspeed, Inc.
3.516
Vorrätig
1 : 5,01000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
19A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 1200 V
390pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-220AC
STPSC10H12D
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
STMicroelectronics
1.232
Vorrätig
1 : 5,07000 €
Stange
Stange
Nur verfügbar bis
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.5 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
60 µA @ 1200 V
725pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220AC
-40°C bis 175°C
TO-220-2
IDH12SG60CXKSA2
DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201
Infineon Technologies
500
Vorrätig
1 : 5,50000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
12A
2.1 V @ 12 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 600 V
310pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C bis 175°C
D2PAK
STPSC20065GY-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
STMicroelectronics
1.102
Vorrätig
1 : 5,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 2,52072 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
20A
1.45 V @ 20 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 600 V
1250pF bei 0V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
D2PAK
-40°C bis 175°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH20G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Infineon Technologies
1.060
Vorrätig
1 : 5,98000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
41A
1.35 V @ 20 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
67 µA @ 420 V
970pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C bis 175°C
TO-263-3
IDK20G120C5XTMA1
DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO26321
Infineon Technologies
1.193
Vorrätig
1 : 6,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,15933 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
56A
1.8 V @ 20 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
123 µA @ 1200 V
1050pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PG-TO263-2-1
-55°C bis 175°C
TO-220AC
STPSC15H12D
DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
STMicroelectronics
1.099
Vorrätig
1 : 6,71000 €
Stange
-
Stange
Nur verfügbar bis
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
15A
1.5 V @ 15 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
90 µA @ 1200 V
1200pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220AC
-40°C bis 175°C
TO-220-2
C4D08120A
DIODE SIL CARB 1200V 24.5A TO220
Wolfspeed, Inc.
109
Vorrätig
1 : 7,10000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
24,5A
1.8 V @ 7.5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
250 µA @ 1200 V
560pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D10120E
DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2522
Wolfspeed, Inc.
2.998
Vorrätig
1 : 8,42000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
33A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
250 µA @ 1200 V
754pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
C6D25170H
C6D05170H
DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Wolfspeed, Inc.
584
Vorrätig
1 : 9,58000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
21 A
1.7 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
9 µA @ 1700 V
638pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-2
TO-247-2
-55°C bis 175°C
Angezeigt werden
von 1.608

Typen von Gleichrichterdioden

    Standard-Gleichrichterdioden
  • Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

  • Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
    Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

  • Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
    Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

  • Avalanche-Dioden
    Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.
    • Bei der schnell schaltenden Gleichrichtung werden Avalanche-Dioden manchmal gegenüber Standard-PN-Dioden bevorzugt, da sie ein besseres Sperrverhalten aufweisen, was die Schaltverluste verringert und den Gesamtwirkungsgrad des Wandlers verbessert. Aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Sperrspannungstransienten ohne Beeinträchtigung standzuhalten, eignen sie sich besonders für Snubber-Schaltungen, Sperrwandler und hart geschaltete Topologien.

  • Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
    SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.