Einzeldioden

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Serie
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Produktstatus
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
Kapazität bei Vr, F
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
Betriebstemperatur - Übergang
TL431BFDT-QR
DIODE STD 200V 200MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
71.043
Vorrätig
1 : 0,10000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,01971 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
200 V
200mA
1.25 V @ 200 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
50 ns
100 nA @ 200 V
5pF bei 0V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
150°C (max.)
sot-23
DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Diotec Semiconductor
2.171
Vorrätig
1 : 0,09000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03008 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
100 V
200mA
1.25 V @ 200 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
50 ns
100 nA @ 100 V
5pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
-55°C bis 150°C
SOT 23-3
DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
onsemi
181.012
Vorrätig
1 : 0,10000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02173 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
120 V
200mA
1.25 V @ 200 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
50 ns
100 nA @ 100 V
5pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
-55°C bis 150°C
TL431BFDT-QR
DIODE STD 100V 200MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
6.563
Vorrätig
1 : 0,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,01721 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
100 V
200mA
1.25 V @ 200 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
50 ns
100 nA @ 100 V
5pF bei 0V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
150°C (max.)
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Typen von Gleichrichterdioden


    Standard-Gleichrichterdioden
  • Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

  • Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
    Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

  • Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
    Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

  • Avalanche-Dioden
    Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.
  • Bei der schnell schaltenden Gleichrichtung werden Avalanche-Dioden manchmal gegenüber Standard-PN-Dioden bevorzugt, da sie ein besseres Sperrverhalten aufweisen, was die Schaltverluste verringert und den Gesamtwirkungsgrad des Wandlers verbessert. Aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Sperrspannungstransienten ohne Beeinträchtigung standzuhalten, eignen sie sich besonders für Snubber-Schaltungen, Sperrwandler und hart geschaltete Topologien.

  • Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
    SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.