Name: XP10N3R8P
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10N3R8P-ND
Price: 3.4153 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XP10N3R8P
DigiKey-Teilenr.	5048-XP10N3R8P-ND
Hersteller	YAGEO XSEMI
Hersteller-Teilenummer	XP10N3R8P
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 130A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 130 A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	YAGEO XSEMI
Serie	XP10N3R8
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	130 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,88mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	136 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6560 pF @ 80 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 2.992

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,87000 €	2,87 €
50	1,43820 €	71,91 €
100	1,29940 €	129,94 €
500	1,05594 €	527,97 €
1.000	0,97774 €	977,74 €
2.000	0,91201 €	1.824,02 €
5.000	0,90930 €	4.546,50 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.