C2M0160120D

DigiKey-Teilenr.
C2M0160120D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C2M0160120D
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 19 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C2M0160120D Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 10A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32.6 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
527 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Verfügbar bis: 01.04.2025
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3010,20900 €306,27 €
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