Name: SQ2318AES-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2318AES-T1_BE3TR-ND
Price: 0.6545 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQ2318AES-T1_BE3
Digi-Key-Teilenr.	742-SQ2318AES-T1_BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQ2318AES-T1_BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQ2318AES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2318AES-T1_BE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 8 A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	31mOhm bei 7,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	553 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SQ2318