SQ2308CES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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SQ2308CES-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQ2308CES-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQ2308CES-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQ2308CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2308CES-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 2,3 A (Tc) 2W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQ2308CES-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	150mOhm bei 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	205 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SQ2308

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