Name: SIRA26DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA26DP-T1-RE3TR-ND
Price: 0.8925 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIRA26DP-T1-RE3
Digi-Key-Teilenr.	SIRA26DP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIRA26DP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIRA26DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIRA26DP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	36 Wochen
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 60 A (Tc) 43,1W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Product Status	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,65mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2247 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	43,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIRA26