Name: SIHG24N80AEF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG24N80AEF-GE3-ND
Price: 5.8667 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG24N80AEF-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHG24N80AEF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG24N80AEF-GE3
Beschreibung	EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 20 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	EF
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	195mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1889 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	4,93000 €	4,93 €
10	3,29600 €	32,96 €
100	2,36800 €	236,80 €
500	1,97230 €	986,15 €
1.000	1,89042 €	1.890,42 €

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