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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 520
Stückpreis : 3,90000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 1.480
Stückpreis : 5,67000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 112
Stückpreis : 2,43000 €
Datenblatt

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Vorrätig: 3.075
Stückpreis : 3,20000 €
Datenblatt

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Vorrätig: 5.379
Stückpreis : 5,68000 €
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IXYS
Vorrätig: 0
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IXYS
Vorrätig: 0
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STMicroelectronics
Vorrätig: 4.504
Stückpreis : 4,94000 €
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STMicroelectronics
Vorrätig: 1.427
Stückpreis : 6,03000 €
Datenblatt
TO-263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N60ET5-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB22N60ET5-GE3-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB22N60ET5-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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8001,62715 €1.301,72 €
1.6001,59784 €2.556,54 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:1,62715 €
Stückpreis mit MwSt.:1,93631 €