Name: SIA918EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA918EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7497 EUR
Availability: InStock

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SIA918EDJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA918EDJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA918EDJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA918EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA918EDJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 4,5 A (Tc) 7,8W Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA918EDJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	58mOhm bei 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5,5nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	7,8W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer	SIA918

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