Name: SI2325DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2325DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5589 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI2325DS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI2325DS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI2325DS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI2325DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2325DS-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	530mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	510 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	750mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SI2325