Name: VS-50MT060PHTAPBF
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Price: 55.8093 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-50MT060PHTAPBF
DigiKey-Teilenr.	112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-50MT060PHTAPBF
Beschreibung	IGBT MOD 600V 121A 305W 12-MTP
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 600 V 121 A 305 W Durchkontaktierung 12-MTP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	HEXFRED®
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	121 A
Leistung - Max.	305 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,64V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	6000 pF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	12-poliges MTP-Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	12-MTP
Basis-Produktnummer	50MT060

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