Name: TPN8R903NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN8R903NLLQTR-ND
Price: 1.3328 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPN8R903NL,LQ
DigiKey-Teilenr.	TPN8R903NLLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN8R903NLLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN8R903NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN8R903NL,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 20 A (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN8R903NL,LQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,9mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	820 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	TPN8R903