Name: TPHR7404PU,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR7404PUL1Q(MTR-ND
Price: 2.3443 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPHR7404PU,L1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TPHR7404PUL1Q(MTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPHR7404PUL1Q(MCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPHR7404PUL1Q(MDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPHR7404PU,L1Q
Beschreibung	40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 150 A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	150 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,74mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9000 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 210W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN