Name: TK5A65DA(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK5A65DA(STA4QM)-ND
Price: 2.3086 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK5A65DA(STA4,Q,M)
DigiKey-Teilenr.	TK5A65DA(STA4QM)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK5A65DA(STA4,Q,M)
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 4,5 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK5A65DA(STA4,Q,M) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,67Ohm bei 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK5A65

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	1,94000 €	1,94 €
50	0,94460 €	47,23 €
100	0,84770 €	84,77 €
500	0,67768 €	338,84 €
1.000	0,62301 €	623,01 €
2.000	0,57706 €	1.154,12 €
5.000	0,55493 €	2.774,65 €

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