Name: TK3A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3A65D(STA4QM)-ND
Price: 2.1539 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK3A65D(STA4,Q,M)
DigiKey-Teilenr.	TK3A65D(STA4QM)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK3A65D(STA4,Q,M)
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 3 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,25Ohm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	540 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK3A65

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	1,81000 €	1,81 €
50	0,87340 €	43,67 €
100	0,78280 €	78,28 €
500	0,62372 €	311,86 €
1.000	0,57258 €	572,58 €
2.000	0,52958 €	1.059,16 €
5.000	0,50203 €	2.510,15 €

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