Name: TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W5LVQTR-ND
Price: 6.2951 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK31V60W5,LVQ
DigiKey-Teilenr.	TK31V60W5LVQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK31V60W5LVQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK31V60W5LVQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK31V60W5,LVQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30,8 A (Ta) 240W (Tc) Oberflächenmontage 4-DFN-EP (8x8)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK31V60W5,LVQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	109mOhm bei 15,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3000 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	240W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TA)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-DFN-EP (8x8)
Gehäuse / Hülle	4-VSFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	TK31V60