Name: SSM6J808R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J808RLXHFTR-ND
Price: 1.2019 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6J808R,LXHF
DigiKey-Teilenr.	264-SSM6J808RLXHFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-SSM6J808RLXHFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-SSM6J808RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6J808R,LXHF
Beschreibung	AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 7 A (Ta) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 6-TSOP-F
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6J808R,LXHF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1020 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-TSOP-F
Gehäuse / Hülle	6-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	SSM6J808