Name: SSM6J512NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J512NULFTR-ND
Price: 0.6188 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6J512NU,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6J512NULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6J512NULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6J512NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6J512NU,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 10 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage 6-UDFNB (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6J512NU,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,2mOhm bei 4A, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1400 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,25W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-UDFNB (2x2)
Gehäuse / Hülle	6-WDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	SSM6J512

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