MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

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MT3S111(TE85L,F)
DigiKey-Teilenr.	MT3S111(TE85LF)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) MT3S111(TE85LF)CT-ND - Gurtabschnitt (CT) MT3S111(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	MT3S111(TE85L,F)
Beschreibung	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	HF-Transistor NPN 6V 100mA 11,5GHz 700mW Oberflächenmontage S-Mini
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	6V
Frequenz - Übergang	11,5GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)	1,2dB bei 1GHz
Verstärkung	12dB
Leistung - Max.	700mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	200 bei 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	S-Mini
Basis-Produktnummer	MT3S111

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