STX112-AP STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STX112-AP
DigiKey-Teilenr.	497-12706-3-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STX112-AP
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92AP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 1.2 W Durchkontaktierung TO-92AP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Band & Box (TB)
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	2,5V bei 8mA, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	1000 bei 1A, 4V
Leistung - Max.	1.2 W
Frequenz - Übergang	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92AP
Basis-Produktnummer	STX112