STU9HN65M2 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STU9HN65M2
DigiKey-Teilenr.	497-16026-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STU9HN65M2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 5,5 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	820mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	325 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-251 (IPAK)
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	STU9H

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	1,24000 €	1,24 €
75	0,55467 €	41,60 €
150	0,49693 €	74,54 €
525	0,41467 €	217,70 €
1.050	0,37907 €	398,02 €
2.025	0,36167 €	732,38 €

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