STB9NK60ZDT4 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

STB9NK60ZDT4 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STB9NK60ZDT4
DigiKey-Teilenr.	497-4325-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB9NK60ZDT4
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB9NK60ZDT4 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	SuperFREDmesh™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	950mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1110 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STB9N