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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
S3M0012120K | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1655-S3M0012120K-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S3M0012120K |
Beschreibung | DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 155 A (Tc) 937W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 16mOhm bei 100A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 40mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 347 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +18V, -4V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 6358 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 937W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-4 | |
Gehäuse / Hülle |
Auf Lager: 180
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 17,59000 € | 17,59 € |
| 30 | 11,07300 € | 332,19 € |
| 120 | 9,99017 € | 1.198,82 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 17,59000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 20,93210 € |
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