RW1C015UNT2R Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RW1C015UNT2R
DigiKey-Teilenr.	RW1C015UNT2R-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RW1C015UNT2R
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 1,5 A (Ta) 400mW (Ta) Oberflächenmontage 6-WEMT
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	110 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	400mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-WEMT
Gehäuse / Hülle	6-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	RW1C015