RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

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STMicroelectronics

Vorrätig: 3.390

Stückpreis : 1,45000 €

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RQ3P300BETB1
DigiKey-Teilenr.	RQ3P300BETB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3P300BETB1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
EDA/CAD-Modelle	RQ3P300BETB1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta), 36 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	21mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1250 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 32W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	RQ3P300