Name: RD3P08BBDTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P08BBDTLTR-ND
Price: 4.2602 EUR
Availability: InStock

RD3P08BBDTL
DigiKey-Teilenr.	RD3P08BBDTLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RD3P08BBDTLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RD3P08BBDTLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3P08BBDTL
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 119W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,6mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1940 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	119W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	RD3P08