Name: RD3G08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND
Price: 3.5343 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RD3G08BBJHRBTL
DigiKey-Teilenr.	846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RD3G08BBJHRBTLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RD3G08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3G08BBJHRBTL
Beschreibung	PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 80 A (Ta) 142W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,9mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+5V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7350 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	142W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63