FP7G50US60
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FP7G50US60

Digi-Key-Teilenr.
2156-FP7G50US60-FS-ND
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
FP7G50US60
Beschreibung
IGBT
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul Halbbrücke 600 V 50 A 250 W Chassisbefestigung EPM7
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Fairchild Semiconductor
Serie
Gehäuse
Stange
Product Status
Obsolet
IGBT-Typ
-
Konfiguration
Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 A
Leistung - Max.
250 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,8V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)
250 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
2.92 nF @ 30 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Nein
Betriebstemperatur
-40°C bis 125°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
EPM7
Gehäusetyp vom Lieferanten
EPM7
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1226,45333 €317,44 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
2156-FP7G50US60-FS
FAIFSCFP7G50US60
Standardverpackung5