FCP650N80Z onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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FCP650N80Z
DigiKey-Teilenr.	FCP650N80Z-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCP650N80Z
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 10 A (Tc) 162W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FCP650N80Z Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® II
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	650mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 800µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1565 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	162W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FCP650