RJK6012DPP-A0#T2 Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJK6012DPP-A0#T2
DigiKey-Teilenr.	RJK6012DPP-A0#T2-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	RJK6012DPP-A0#T2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 6 A (Ta) 29,5W (Ta) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,37Ohm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	765 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	29,5W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220FP
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	RJK6012

Fragen und Antworten zum Produkt

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