Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 2.7489 EUR
Availability: InStock

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RJK0332DPB-01#J0
DigiKey-Teilenr.	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RJK0332DPB-01#J0CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	RJK0332DPB-01#J0
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 35 A (Ta) 45W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,7mOhm bei 17,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2180 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK
Gehäuse / Hülle	SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer	RJK0332