QS1200SCM36 Quest Semi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

QS1200SCM36
DigiKey-Teilenr.	5403-QS1200SCM36-ND
Hersteller	Quest Semi
Hersteller-Teilenummer	QS1200SCM36
Beschreibung	1200V 36AMP SiC Mosfet
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 36A 198W Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Quest Semi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	36A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 600 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1001 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	198W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3