Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 1.0353 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTLJS2103PTBG
DigiKey-Teilenr.	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTLJS2103PTBG
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 3,5 A (Ta) 700mW (Ta) Oberflächenmontage 6-WDFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	µCool™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,2V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	800mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1157 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-WDFN (2x2)
Gehäuse / Hülle	6-WDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	NTLJS2103