IPAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTD50N03R-1G

Digi-Key-Teilenr.
NTD50N03R-1G-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTD50N03R-1G
Lieferant
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 25 V 7,8 A (Ta), 45 A (Tc) 1,5W (Ta), 50W (Tc) Durchkontaktierung I-PAK
Kundenreferenz
Datenblatt Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Gehäuse
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7,8 A (Ta), 45 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 11,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm bei 30A, 11,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 11.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
750 pF @ 12 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
I-PAK
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 kurze Anschlüsse <!--IPak TO-251AA-->
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095

Andere Anbieter bei Digi-Key

5.609Vorrätig
Verkauft von Rochester Electronics, LLC
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
ONSONSNTD50N03R-1G
2156-NTD50N03R-1G-ON
Standardverpackung75