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N-Kanal 30 V 8,9 A (Ta), 55 A (Tc) 1,07W (Ta), 35,71W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
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NTD4960N-35G

DigiKey-Teilenr.
NTD4960N-35GOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTD4960N-35G
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 8,9 A (Ta), 55 A (Tc) 1,07W (Ta), 35,71W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8,9 A (Ta), 55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,07W (Ta), 35,71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit Stummelpins, IPAK
Basis-Produktnummer
NTD49
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