P-Kanal 30 V 50 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
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MVB50P03HDLT4G

DigiKey-Teilenr.
MVB50P03HDLT4G-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MVB50P03HDLT4G
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 30 V 50 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 25A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4900 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
MVB50
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Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe