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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
TO-92

MPSA14RLRPG

DigiKey-Teilenr.
MPSA14RLRPG-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MPSA14RLRPG
Beschreibung
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,5V bei 100µA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20000 bei 100mA, 5V
Leistung - Max.
625 mW
Frequenz - Übergang
125MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 lange Bauform, geformte Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
MPSA14
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