Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 20 V 625 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MPSA12G

DigiKey-Teilenr.
MPSA12G-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MPSA12G
Beschreibung
TRANS NPN DARL 20V TO92
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 20 V 625 mW Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
20 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 10µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20000 bei 10mA, 5V
Leistung - Max.
625 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 langer Körper
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
MPSA12
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Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe