FDPF8D5N10C onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

N-Kanal 100 V 76 A (Tc) 2,4W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDPF8D5N10C
DigiKey-Teilenr.	FDPF8D5N10C-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDPF8D5N10C
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 76A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 76 A (Tc) 2,4W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	76 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,5mOhm bei 76A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 130µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2475 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,4W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	FDPF8

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10	2,73700 €	27,37 €
100	1,95010 €	195,01 €
500	1,61468 €	807,34 €

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