BUX85G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 450 V 2 A 4MHz 50 W Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BUX85G
DigiKey-Teilenr.	BUX85GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	BUX85G
Beschreibung	TRANS NPN 450V 2A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 450 V 2 A 4MHz 50 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BUX85G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	450 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1V bei 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	200µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	30 bei 100mA, 5V
Leistung - Max.	50 W
Frequenz - Übergang	4MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Basis-Produktnummer	BUX85

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