HGTP12N60C3D onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HGTP12N60C3D
DigiKey-Teilenr.	HGTP12N60C3D-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	HGTP12N60C3D
Beschreibung	IGBT 600V 24A TO-220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 600 V 24 A 104 W Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	24 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	96 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,2V bei 15V, 15A
Leistung - Max.	104 W
Schaltenergie	380µJ (Ein), 900µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	48 nC
Td (on/off) bei 25°C	-
Testbedingung	-
Umkehrerholungszeit (trr)	40 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Basis-Produktnummer	HGTP12N60