PDTC114ET215 NXP Semiconductors | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PDTC114ET215
DigiKey-Teilenr.	2156-PDTC114ET215-NXP-ND
Hersteller	NXP Semiconductors
Hersteller-Teilenummer	PDTC114ET215
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Oberflächenmontage SOT23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren
Hersteller	NXP Semiconductors
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50 V
Widerstände enthalten	R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	30 bei 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	150mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1µA
Frequenz - Übergang	230 MHz
Leistung - Max.	250 mW
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT23-3 (TO-236)