Name: NSF080120L4A0Q
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-NSF080120L4A0Q-ND
Price: 16.33571 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 183W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NSF080120L4A0Q
DigiKey-Teilenr.	1727-NSF080120L4A0Q-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	NSF080120L4A0Q
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 35A TO247-4
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 183W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	120mOhm bei 20A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,9V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1335 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	183W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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