Name: NSF040120L4A0Q
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-NSF040120L4A0Q-ND
Price: 22.2887 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NSF040120L4A0Q
DigiKey-Teilenr.	1727-NSF040120L4A0Q-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	NSF040120L4A0Q
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	65 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 40A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,9V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	95 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2600 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	306W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 427

DigiKey kann zurzeit aufgrund einer vorübergehenden Lieferbeschränkung keine Rückstandsbestellungen annehmen.

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	18,73000 €	18,73 €
10	13,49700 €	134,97 €
450	10,87889 €	4.895,50 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.