TO-262-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFZ46ZLPBF

Digi-Key-Teilenr.
IRFZ46ZLPBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRFZ46ZLPBF
Lieferant
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 51 A (Tc) 82W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Kundenreferenz
Datenblatt Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
Gehäuse
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
51 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13,6mOhm bei 31A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1460 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
82W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Gehäuse / Hülle
TO-262-3, lange Anschlüsse, I²Pak, TO-262AA
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
*IRFZ46ZLPBF
SP001576304
Standardverpackung50