TO-262-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFSL4020PBF

Digi-Key-Teilenr.
IRFSL4020PBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRFSL4020PBF
Lieferant
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Kundenreferenz
Datenblatt Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
-
Gehäuse
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
105mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,9V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Gehäuse / Hülle
TO-262-3, lange Anschlüsse, I²Pak, TO-262AA
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere NamenSP001565208
Standardverpackung50