DIRECTFET S1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF6709S2TRPBF

Digi-Key-Teilenr.
IRF6709S2TRPBF-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF6709S2TRPBF
Lieferant
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 25 V 12 A (Ta), 39 A (Tc) 1,8W (Ta), 21W (Tc) Oberflächenmontage DirectFET™, isometrisch, S1
Kundenreferenz
Datenblatt Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
Gehäuse
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Ta), 39 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,8mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,35V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1010 pF @ 13 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,8W (Ta), 21W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DirectFET™, isometrisch, S1
Gehäuse / Hülle
DirectFET™, isometrisch, S1
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere NamenSP001530266
Standardverpackung4.800