Name: IQE013N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 2.9274 EUR
Availability: InStock

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IQE013N04LM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE013N04LM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE013N04LM6ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE013N04LM6ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,35mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 51µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3900 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-8-4
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	IQE013

Stückpreis ohne MwSt.:	2,46000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,92740 €